产品详细介绍： 详细情况 产品名称：N 主要性能指标：检测范围：1.5-6.0V，温度特性：±100ppm 封装形式：SOT23-3，SOT89，TO92，SSOT24 兼容型号： ■ 产品概述 LN61CN 系列芯片是使用 CMOS 技术开发的高精度、低功耗、小封装电压检测芯片。检测电压在小温度漂移的情况下保持极高的精度。客户可选择CMOS输出或 Drain输出。 ■ 产品特点 高精度：±2% 低功耗：0.8uA（Vin=1.5V） 检测电压范围：1.5V~6.0V，100mV步进 工作电压范围：0.7V~8.0V 检测电压温度特性：±100ppm(typ.) 输出配置：N-channel drain 或 CMOS 小封装：SOT23-3，，TO-92，SSOT24 ■应用场合 复位电路 备份电路 上电复位电路 供电失效检测 系统电池寿命和充电电压监视。 窗比较器 波形锐化电路 产品名称：LN61F 主要性能指标：检测范围: 1.5V ~ 5.0V，Iq=1.5uA 封装形式：TO92，SOT23 兼容型号：XC61F ■ 产品概述 LN61F系列是为微处理器和系统提供低功耗电压检测芯片，具高精度低温漂的特点。该系列产品检测电压以0.1V为单位覆盖从1.5V至5V的电压范围，基本涵盖大部分电子产品的需求。低静态电流是其重要的优点。产品系列中包含了CMOS输出和漏端开路的N管输出。由于内置延时，减少了应用电路中的外围器件 ■ 产品特点 高精度: ± 2% 低功耗: 小于1.5μA 产品检测范围: 1.5V ~ 5.0V 0.1V步进 工作范围: 0.7V ~ 7.0V 检测电压温度特性:±100ppm/℃(TYP.) 内置延时: ① 1ms ~ 50ms ② 50ms ~ 200ms ③ 80ms ~ 400ms 输出方式:N管漏端开路或CMOS ■产品应用 微处理器复位电路 记忆体电池备份电路 上电复位电路 电源无效检测 系统电池寿命和充电电压监测 延迟电路 ■ 封装 CMOS 小型封装 超小型封装: SOT-23 (150mW) : SOT-89 (500mW) : TO-92 (300mW)